Кознов Георгий Георгиевич (RU)
Изобретатель Кознов Георгий Георгиевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. Сущность изобретения: способ включает смешение исходных оксидов в стехиометрическом соотношении компонентов, нагрев смеси со скоростью 300-350°С/час до температуры 1460-1465°С и спекание при этой температуре в течение 6,5-8,0 час. Смешение исходных оксидов может осуществляться при наложении вибрационных колеба...
2296824Способ получения ультрадисперсного оксида галлия
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Ультрадисперсный оксид галлия получают методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. При этом оксид галлия смешивают с металлическим галлием, с введением в смесь порошка гидрооксида галлия в соотношении 1:(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно. Окисление металлического галлия проводят путем локального нагрева смес...
2349548Способ получения оксида галлия
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Расплавленный металлический галлий взаимодействует с водой при диспергировании, с подачей перекиси водорода концентрацией более 30 мас.% с равномерной скоростью 200-250 мл/ч на килограмм расплавленного галлия в течение 3-6 часов до окисления галлия. Взаимодействие проводят в одну стадию при соотношении галлия к воде (0,8-1,0):(1,2-...
2354611Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. Способ включает смешивание порошков оксидов лантана, галлия и тантала с гранулометрическим размером зерна из диапазона 1-5 мкм, последующий нагрев полученной порошкообразной смеси с регулируемой скоростью до температуры спекания и выдержку упомянутой смеси при этой температуре до завершения процесса спекания, при этом спекан...
2413041Способ получения индия высокой чистоты
Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов. Способ получения индия высокой чистоты включает вакуум-термическую обработку индия. При этом вакуум-термическую обработку проводят в две стадии. На первой стадии ее проводят при температуре 1000-1350°С, получают три конденсированные фракции, одна из которых обогащена труднолетучими примесями, другая содержит сконденсированные воз...
2507283Способ получения галлия высокой чистоты
Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов и может быть использовано при получении галлия высокой чистоты. Технический галлий подвергают вакуум-термической обработке в вакуумной камере с размещенными в ней графитовыми тиглями, соосно расположенными один над другим. В центре дна тиглей, расположенных над нижним тиглем, выполнен цилиндрический выступ, на боковой поверхности...
2583574