Бутывская Марина Владимировна (RU)
Изобретатель Бутывская Марина Владимировна (RU) является автором следующих патентов:
Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты)
Изобретение относится к области технологии производства тонких плоскопараллельных пластин из хрупких кристаллических материалов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых устройств типа "полупроводник на изоляторе", а также поверхностных субмикронных углублений различного геометрического профиля при производстве микроэлектронных устройств. Технический результат изобретения заключ...
2297691