Заддэ Виталий Викторович (RU)

Изобретение относится к гелиоэнергетике. В предлагаемом способе изготовления фотоэлектрического модуля корпус модуля изготовляют в виде плоского сосуда со съемной крышкой на верхней торцевой стороне. В корпус вставляют скоммутированные фотопреобразователи и закрывают крышку. Корпус имеет форму сосуда с узкими стенками со съемной крышкой на верхней торцевой стороне, на крышке установлены токопровод...

Предлагаемое изобретение относится к области создания теплоизоляционных материалов, используемых для теплоизоляции дома, палаток, теплиц, холодильных камер, трубопроводов, одежды, обуви и т.п. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и срока службы, а также расширение областей использования вакуумной теплоизоляции. В теплоизоляционном изделии, содержащем подложку из неорга...

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Технический кремний с техническим метанолом взаимодействуют в присутствии катализатора при повышенной температуре. Из продуктов реакции выделяют водородсодержащие метоксисиланы в смеси с тетраметоксисиланом. Моносилан получают каталитическим диспропорционированием водородсодержащих метоксисиланов и очищают путем адсорбции на активном...

Фотопреобразователь с двухсторонней рабочей поверхностью из пластин кремния содержит диодные структуры с n+-p (p+-n) переходом на лицевой поверхности кремниевой пластины и изотипными p-р+(n-n+) переходами в базовой области на тыльной поверхности кремниевой пластины, у которых площади и конфигурации металлических контактов на лицевой и тыльной поверхностях совпадают в плане, а толщина фотопреобразо...

Изобретение относится к электротехнике, а именно к инверторам для автономных источников электропитания разнообразного электрооборудования, требующего использования синусоидальной формы переменного тока. Преобразователь постоянного напряжения содержит генератор синусоидального напряжения, драйвер-усилитель и силовой электронный прерыватель, при этом генератор синусоидального напряжения с частотой f...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор выполнен в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с дифф...

Изобретение относится к химической и электронной промышленности и может использоваться при получении кремния высокой чистоты. Кремнийсодержащее вещество подается в тигель с расплавом кремния через систему трубопроводов с отверстиями 0,1-5 мм2 для получения пузырьков газа. Происходит термическое разложение кремнийсодержащего газа, при этом полученный кремний пополняет расплав. Предложенное изобрете...

Изобретение относится к энергетике, в частности, к способу и устройству бесперебойного электропитания потребителей как подключенных, так и не подключенных к централизованной электросети, например, при организации бесперебойного снабжения электричеством многоквартирных жилых домов. Задачей и техническим результатом предлагаемого способа и устройства системы бесперебойного электропитания является ум...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП), и может быть использовано в производстве возобновляемых источников энергии. Задачей предлагаемого изобретения является создание способа изготовления полупроводникого фотопреобразователя, обеспечивающего повышение эффективности матричных фотопреобразователей. Сущность изобрет...

Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Смесь кремнийсодержащих соединений с несущим газом подают по коаксиальной трубе из чистого кремния с центральным электродом из чистого кремния. Центральный электрод присоединен к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт и напряжением 10-1000 кВ. В струе кремнийсодержащих...

Полупроводниковый фотопреобразователь содержит на рабочей поверхности антиотражающее покрытие, диодную структуру с n+-p (p+-n)-переходом, изотипным p-p+ (n-n+)-переходом в базовой области на тыльной поверхности, металлические контакты к обоим областям диодной структуры. Толщина базовой области соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области. Диодная структура выполне...

Изобретение может быть использовано для производства кремния полупроводникового качества. Процесс ведут в две стадии в реакторе плазменной печи при температуре выше 1500°С. На первой стадии восстановления в качестве кремнийсодержащего соединения вводят в реактор кварцевую крупку, а в качестве восстановителя вводят смесь моноокиси углерода с водородом, взятых в объемном соотношении 1:1. На второй...

Изобретение может быть использовано для получения кремния высокой чистоты. Способ заключается в химическом травлении и высокотемпературной термообработке поверхности кремния, которые проводят одновременно при перемешивании частиц порошкообразного кремния при температуре от 800 до 1410°С при погружении частиц кремния в поток химически активного по отношению к примесям и кремнию газа. По другому ва...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования интенсивных потоков излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый фотопреобразователь содержит базовую область, выполненную из полупроводникового материала р- или n-типа проводимости, диодные структуры с n+-p (p+-n) переходами на рабочей...

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор выполнен в виде скоммутированных контактами матрицы из микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области р- или n-типа проводимости, а плоскости p-n переходов и изотипных переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, р-n переходы и изотипные перех...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит рабочую поверхность, на которую падает излучение, базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала р-или n- типа проводимости и легированные слои с высокой проводимостью n+- и р+-ти...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов из кремния, в частности к изготовлению фотопреобразователей. Способ создания контактного рисунка из никеля на пластинах кремния включает создание диэлектрической пленки с окнами, химическое осаждение никеля в окна кремниевых пластин и образование прослойки силицида никеля, которое производят из газовой фазы при термическом ра...

Изобретение может быть использовано в металлургии для получения кремния солнечного качества. Кремний измельчают до размера частиц менее 100 мкм и из бункера 1 с питателем перегружают в реактор 3 очистки. Реактор 3 заполняют химически активным газом, например хлором, через отверстие 2, нагревают электронагревателями 4 в рабочей зоне до температуры 900-1410°С и создают условия для перемешивания пор...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. Полупроводниковый фотопреобразователь содержит участки с n+-p или (p+-n) переходом и слоями n+ или (p+), полностью покрытые металлическими контактами, а на фоточувствительной поверхности базовую область p- или n-типа проводимости, с нанесенной пассивирующей, просветляющей пл...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит матрицу из скоммутированных параллельно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью и легированными областями п+-р-п+(p+-п-р+) структур, плоскости р-п переходов и контактов к легированным п+(р+) областям перпендикулярны к рабочей с...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит участки с n+-р (р+-n)-переходом, покрытые металлическими контактами, а на фоточувствительной поверхности - базовую область р- или n-типа проводимости, с нанесенной пассивирующей просветляю...

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к технологии получения металлического кремния как исходного сырья для получения солнечного кремния. Шихта содержит двуокись кремния в виде аморфной двуокиси кремния, в качестве углеродсодержащего восстановителя - сажу и дополнительно - гель кремниевой кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.%: аморфная двуокись кремния 36...

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Слитки кремния получают из порошка кремния путем плавления кремния в тигле и его очистки с последующей направленной кристаллизацией в охлаждаемом тигле. Порошок кремния в потоке газа-носителя транспортируют через отверстия в придонной области внутрь тигля и пропускают через слой расплавленного кремния. Изобретение позволяет получать...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. В кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащем n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+)...

Изобретение относится к конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения: в полупроводниковом фотопреобразователе, содержащем матрицу из скоммутированных последовательно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью, легированными областями в виде диодных п+-p-p+ (р+-п-п+) структур и просвет...