ШХОРИ Эхуд (IL)

Предложен способ формирования тонкослойного гальванического элемента (50). Способ включает контактирование слоя (52) отрицательного полюса и слоя (54) положительного полюса друг с другом или с необязательным слоем, расположенным между ними. Полюсные слои и необязательный слой между ними выбирают такими, чтобы при этом контактировании происходило самоформирование граничного разделительного слоя (56...