Головин Сергей Вадимович (RU)

Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы. Сущность изобретения: в способе получения тонких пленок теллурида кадмия в вертикально расположенном реакторе типа «горячая стенка» в нижней части размещают источник теллурида кадмия, над ним на расстоянии не менее 10 диаметров реактора - подложку теллурида кадмия-ртути, присоединяют реактор к вакуумной о...

Изобретение относится к технологии изготовления матриц фоточувствительных элементов с p-n-переходами для микрофотоэлектроники инфракрасного диапазона. Способ изготовления матрицы фотодиодных элементов с n+-р-переходами на основе теллурида кадмия-ртути включает пассивацию поверхности эпитаксиальным наращиванием диэлектрика теллурида кадмия, фотолитографию, химическое травление площадок в местах рас...

Изобретение относится к многоэлементным и матричным фотоприемникам (МФП) ИК-диапазона на основе теллурида кадмия-ртути, конкретно к технологии изготовления матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути (КРТ) согласно изобретению включает нанесение на поверхность КРТ тонкого эпитаксиального слоя теллурида кадмия, при этом КРТ с нанесенным слоем...