PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Блинов Геннадий Андреевич (RU)

Изобретатель Блинов Геннадий Андреевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления трехмерного многокристального микромодуля

Способ изготовления трехмерного многокристального микромодуля

Изобретение относится к области создания малогабаритных надежных микроэлектронных модулей, содержащих большое количество ИС. Сущность изобретения: в способе изготовления объемного гибридного интегрального микромодуля изготавливают гибкую плату в виде ленты с системой проводников для соединения с контактными площадками ИС и контактными площадками на одном конце ленты, служащими выводами модуля, и р...

2299497

Прецизионный гибкий шлейф и способ высокоплотного монтажа электронных приборов с помощью таких шлейфов

Прецизионный гибкий шлейф и способ высокоплотного монтажа электронных приборов с помощью таких шлейфов

Изобретение направлено на создание гибких многослойных печатных плат (шлейфов) для монтажа микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - изготовление гибкой печатной платы, у которой зазор между соседними проводниками не превышает 20 мкм, что позволяет обеспечить плотность размещения компонент и контактных площадок для их монтажа, приближающуюся к плотности расположения выводов современных...

2312474

Способ изготовления трехмерного гибридного интегрального модуля

Способ изготовления трехмерного гибридного интегрального модуля

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении трехмерного гибридного интегрального модуля, содержащего гибкую плату со смонтированными на ней кристаллами бескорпусных ИС. В способе изготовления трехмерного гибридного интегрального модуля изготавливают гибкую плату, причем на этапе проектирования все участки для перегибов проектируются в виде шлейфовых фрагме...

2364006

Способ изготовления свч полевого транзистора

Способ изготовления свч полевого транзистора

Использование: для изготовления СВЧ полевого транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют создание n+-n-i-типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, при этом после формирования n+-n-i-типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре проводится дополнительное легирование пластин...

2523060

Способ изготовления полупроводниковых свч приборов

Способ изготовления полупроводниковых свч приборов

Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центра...

2546856


Способ изготовления трехмерного многокристального модуля на гибкой плате

Способ изготовления трехмерного многокристального модуля на гибкой плате

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к области создания малогабаритных многокристальных устройств, изготовленных по гибридной трехмерной технологии. В способе изготовления трехмерного многокристального модуля на гибкой плате формируют симметрично с двух противоположных краев два монтажных выступа с контактными площадками, служащих выводами многокристального модуля. Вдоль этих же к...

2657092

Микромодуль

Микромодуль

Изобретение относится к области создания малогабаритных микромодулей на гибкой плате, содержащих несколько БИС. Сущность изобретения: микромодуль содержит гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями и смонтированными на ней кристаллами бескорпусных БИС с выступами. Металлизированные межслойные переходные отверстия имеют форму выпуклой криволинейной поверхности п...

2659726