PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Лютцау Александр Всеволодович (RU)

Изобретатель Лютцау Александр Всеволодович (RU) является автором следующих патентов:

Детектирующий узел ионизирующего излучения

Детектирующий узел ионизирующего излучения

Предложенное изобретение относится к средствам для детектирования ионизирующего излучения, а именно к конструкции детектирующего узла для получения распределения интенсивности принимаемого ионизирующего излучения по пространственной или угловой координате. Данное изобретение направлено на получение технического результата, заключающегося в повышении разрешающей способности детектирующего узла иони...

2300783

Способ контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур

Способ контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур

Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают ассиметричное отражение от кристаллографических плоскостей, которые составляют наибольший угол с поверхностью интерфейса подложка-эпитаксиальный слой, и...

2436076

Способ структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур (варианты)

Способ структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур (варианты)

Использование: для структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур. Сущность заключается в том, что осуществляют сканирование образца в условиях брэгговского отражения с использованием Ω-метода в пошаговом режиме рентгеновской дифрактометрии, при этом для многослойных гетероструктур AlGaN/GaN с нанометровыми слоями используют рентгеновскую однокристальную дифрактометрию мощностью...

2442145

Способ диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур

Способ диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом путем изменения угла падения рентгеновского луча, использование рентгеновской однокристальной дифрактометрии с немонохроматическим, квазипараллель...

2498277

Способ экспонирования кристаллографических плоскостей монокристаллических пластин и гетероструктур

Способ экспонирования кристаллографических плоскостей монокристаллических пластин и гетероструктур

Использование: для исследования нанометрических несовершенств монокристаллических полупроводниковых пластин и гетероструктур, а также диэлектрических подложек. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют измерение угла дифракции от исследуемой плоскости с помощью рентгеновской однокристальной дифрактометрии со скользящим квазипараллельным рентгеновским пучком с суммарной расходимост...

2559799