Штыгашев Александр Анатольевич (RU)

Изобретение относится к области опто- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве источников излучения в оптоэлектронике, оптике и в других областях промышленности. Инжекционное светоизлучающее устройство имеет слои, образующие p-n переходы, состоит из последовательности гетероэпитаксиальных слоев диэлектрика и нанокристаллического кремния, выращенных на кремниевой подложке, каждый слой...