Чилясов Алексей Викторович (RU)

Изобретение может быть использовано для получения диоксида теллура высокой степени чистоты, используемого в производстве теллуритных стекол для волоконной оптики, для выращивания монокристаллов парателлурита. Исходный диоксид теллура прокаливают в вакууме при температуре не менее 550°С в тигле, выполненном из инертного к диоксиду теллура материала, прокаленный диоксид теллура расплавляют,...

Изобретение может быть использовано при получении высокочистого оксида вольфрама (VI), применяемого в синтезе материалов для волоконной оптики и других областях. Способ получения высокочистого оксида вольфрама (VI) включает гидролиз очищенного гексафторида вольфрама с последующим выделением оксида вольфрама из раствора продуктов гидролиза и прокаливанием последнего, при этом очистку гексафторида в...

Изобретение может быть использовано для получения триоксида молибдена высокой степени чистоты, используемого при синтезе теллуритных стекол, являющихся перспективными для изготовления активных и пассивных элементов волоконной и интегральной ИК-оптики. Для очистки исходный триоксид молибдена прокаливают в вакууме при 550-580°С. Прокаленный продукт очищают испарением в режиме сублимации в вакууме п...