Краев Игорь Александрович (RU)

Изобретение может быть использовано для получения диоксида теллура высокой степени чистоты, используемого в производстве теллуритных стекол для волоконной оптики, для выращивания монокристаллов парателлурита. Исходный диоксид теллура прокаливают в вакууме при температуре не менее 550°С в тигле, выполненном из инертного к диоксиду теллура материала, прокаленный диоксид теллура расплавляют,...

Изобретение может быть использовано при получении высокочистого оксида вольфрама (VI), применяемого в синтезе материалов для волоконной оптики и других областях. Способ получения высокочистого оксида вольфрама (VI) включает гидролиз очищенного гексафторида вольфрама с последующим выделением оксида вольфрама из раствора продуктов гидролиза и прокаливанием последнего, при этом очистку гексафторида в...

Изобретение может быть использовано для получения гексафторида вольфрама высокой чистоты, используемого в микроэлектронике, при синтезе теллуритных стекол. Способ очистки гексафторида вольфрама включает дистилляцию с последующей фильтрацией потока газообразного продукта через фторопластовый волокнистый фильтр. Дистилляцию гексафторида вольфрама проводят при скорости испарения не более 5·10...

Изобретение может быть использовано для получения триоксида молибдена высокой степени чистоты, используемого при синтезе теллуритных стекол, являющихся перспективными для изготовления активных и пассивных элементов волоконной и интегральной ИК-оптики. Для очистки исходный триоксид молибдена прокаливают в вакууме при 550-580°С. Прокаленный продукт очищают испарением в режиме сублимации в вакууме п...