Липатова Мария Михайловна (RU)

Изобретение может быть использовано для получения диоксида теллура высокой степени чистоты, используемого в производстве теллуритных стекол для волоконной оптики, для выращивания монокристаллов парателлурита. Исходный диоксид теллура прокаливают в вакууме при температуре не менее 550°С в тигле, выполненном из инертного к диоксиду теллура материала, прокаленный диоксид теллура расплавляют,...