Бекирев Увиналий Афанасьевич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. Лазер состоит из легированной активной области в виде полупроводникового слоя толщиной от 0,1 мкм до нескольких диффузионных длин не основных носителей. Активная область расположена между двумя широкозонными слоями n- и p-типов проводимости с омическими контактами. Между широкозонными слоями...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. Лазер на основе p-n-многопроходной гетероструктуры состоит из легированной активной области в виде полупроводникового слоя толщиной не мене двух длин Дебая, расположенного между широкозонными слоями n- и p-типов проводимости. Толщина лазерной гетероструктуры не менее 8-10 дл...

Для достижения названного технического результата выполняют следующие технологические операции: выращивают на ростовой подложке тонкую эпитаксиальную лазерную р-n-гетероструктуру с широкозонными эмиттерами, волноводным переизлучающим слоем и тонкой активной областью, в качестве которой могут использоваться квантовые ямы, изготавливают омические контакты на свободной поверхности р-n-гетерострукту...