Рандошкин Владимир Васильевич (RU)

Изобретение относится к области выращивания эпитаксиальных монокристаллических пленок для измерения рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений и промышленно применимо при изготовлении детекторов ядерных частиц, нейтронов, α- и β-частиц, γ-квантов, сцинтилляционных и рентгеновских экранов. Технический результат изобретения: повышение,...