Кононова Н.Г.
Изобретатель Кононова Н.Г. является автором следующих патентов:
![Способ выращивания монокристаллов трибората лития Способ выращивания монокристаллов трибората лития](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристаллов трибората лития
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO). Способ включает выращивание из растора-расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы Li2O - B2O3 - MoO3 с координатами точек системы, мол. доли: A: Li2O - 0,18; B2O3 - 0,51; MoO3 - 0,31; B: Li2O - 0,17; B2O3 - 0,83; MoO3 - 0; C: Li2O - 0,04; B2O3 - 0,21; MoO3...
2112820![Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава. Состав раствор-расплава определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3 со следующими координатами точек, мол.доли: А: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0; B: Li2O - 0,17;...
2119976![Способ выращивания монокристалла -bab2o4 Способ выращивания монокристалла -bab2o4](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристалла -bab2o4
Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения. Способ включает выращивание в системе ВаО - B2O3 - Na2O, из раствора-расплава, состав которого определен областью ABCD-A'B'C'D', со следующими координатами точек, мольные доли: A: BaO 0,54; B2O3 0,39; Nа2O 0,07; В: ВаO 0,41; B2O3 0,41; Nа2O 0,18; С: ВаO 0,36; В2O3 0,4...
2139957![Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления](/img/empty.gif)
Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления
Изобретение относится к выращиванию кристаллов. Технический результат - обеспечение условий бесконтактного управляемого тепломассопереноса в кристаллизационной среде. Управление процессом кристаллизации основано на бесконтактном возбуждении азимутальных круговых течений - вынужденной конвекции в ростовом объеме посредством вращения (ротации) теплового поля. Вращение теплового поля достига...
2163943![Способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов Способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов](/img/empty.gif)
Способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е. их гомогенизации, предшествующей росту кристалла. Для решения поставленной задачи осуществляют перемешивание раствор-расплавов или расплавов путем создания управляемого теплового поля в тигле, содержащем расплав или раствор-расплав. При этом используют нагревательн...
2164561![Способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4 Способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4](/img/empty.gif)
Способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4
Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе. Сущность изобретения: двустадийным твердофазным синтезом получают шихту путем нагрева смеси карбоната бария, карбоната натрия и борной кислоты при 180-200oС в течение 16-20 ч и при 680-700oС в течение 8 ч. Для многократного испо...
2195520