Базарова Ж.Г.
Изобретатель Базарова Ж.Г. является автором следующих патентов:

Кристалл двойного молибдата цинка в качестве сегнетоэластика
Использование: для управляемых функциональных устройств, в датчиках давления. Кристаллы двойного молибдата цинка имеют состав Tl4 Zn (MoO4)3. Температура фазового перехода 200oС, пространственная группа Pn 21a. 1 табл. Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств. Большинство сегнетоэластиков испытывает при определенн...
2054497
Способ выращивания монокристаллов трибората лития
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO). Способ включает выращивание из растора-расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы Li2O - B2O3 - MoO3 с координатами точек системы, мол. доли: A: Li2O - 0,18; B2O3 - 0,51; MoO3 - 0,31; B: Li2O - 0,17; B2O3 - 0,83; MoO3 - 0; C: Li2O - 0,04; B2O3 - 0,21; MoO3...
2112820