Концевой Юлий Абрамович (RU)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых пластинах с кристаллографической ориентацией {100} характеризуется созданием на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделением пластины на кристаллы. Дополнительно перед р...

Изобретение относится к области производства электронно-оптических приборов, а именно к области производства электронно-чувствительных матриц для электронно-оптических преобразователей (ЭОП), и может быть использовано при изготовлении указанных преобразователей. Технический результат заключается в создании конструкции ЭЧПЗС-матрицы, которая обеспечивает работоспособность ЭОП при таком расположении...

Изобретение может быть использовано для соединения несмачиваемых припоем диэлектрических материалов, а именно полупроводниковых пластин с диэлектрическими слоями. Проводят предварительное напыление на соединяемые поверхности, по меньшей мере, двух слоев металла или сплава, образующих припой. Каждый последующий слой имеет температуру плавления ниже температуры плавления предыдущего слоя. В качестве...

Фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, включенные последовательно слои монокристаллического кремния, с участками различного типа проводимости. Слои монокристаллического кремния толщиной 5-15 мкм расположены планарно на диэлектрической подложке и изолированы друг от друга. Участки одного типа проводимости каждого слоя монокристаллического кремния соединены с участками противоположно...

Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов. Фотопреобразователь содержит подложку с областями р- и n-типа проводимости, образующими р-n-переход, и соединенные с р-n-переходом полосковые ом...

Изобретение относится к области производства вакуумных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) электромагнитного излучения, а именно - к области производства твердотельных матриц для ФЭП, и может быть использовано при изготовлении указанных матриц. Твердотельная матрица содержит совокупность ячеек, поверхность которых покрыта резистивным слоем, причем резистивный слой выполнен из пленки линейно...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием лазерного эллипсометра с длиной волны 0,6328 мкм показатель преломления прозрачной подложки n1 с обратной ма...