Сопов Олег Вениаминович (RU)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых пластинах с кристаллографической ориентацией {100} характеризуется созданием на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделением пластины на кристаллы. Дополнительно перед р...

Изобретение может быть использовано для соединения несмачиваемых припоем диэлектрических материалов, а именно полупроводниковых пластин с диэлектрическими слоями. Проводят предварительное напыление на соединяемые поверхности, по меньшей мере, двух слоев металла или сплава, образующих припой. Каждый последующий слой имеет температуру плавления ниже температуры плавления предыдущего слоя. В качестве...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов. В способе изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором, включающем формирование защитного покрытия с верхним слоем н...

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на по...