Рубанов Павел Владимирович (RU)
Изобретатель Рубанов Павел Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ изготовления полупроводниковых приборов Способ изготовления полупроводниковых приборов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1c9c72196cc86b5a2ff7fa2b6b42e531.jpg)
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Способ позволяет изготовить приборы с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия приборы изготавливают из приборных структур с концентрацией электроно...
2303314![Способ изготовления полупроводниковых приборов Способ изготовления полупроводниковых приборов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/818ad0a69e57348603e67e708a397ddb.jpg)
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Изобретение позволяет изготовить приборы на основе арсенида галлия с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия приборы изготавливают из приборных стр...
2303315![Способ изготовления полупроводниковых приборов Способ изготовления полупроводниковых приборов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d42477dd5729b1cb8850603d39edbfdf.jpg)
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Способ изготовления приборов на основе арсенида галлия включает формирование контактов, фотолитографию, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионную сборку в корпус. После сборки в корпус проводят облучение протонами с энергией...
2303316![Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3a2947720b7995b82621fc477e922c0c.jpg)
Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает повышение стойкости к облучению приборов на основе арсенида галлия электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия, включающем изготовление приборов и проведение...
2304823![Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e8aab043904fb19c0d75f1b3639a6d86.jpg)
Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает повышение стойкости к облучению приборов на основе арсенида галлия электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия, включающем изготовление приборов и проведение...
2304824![Способ изготовления полупроводниковых приборов Способ изготовления полупроводниковых приборов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5b1438166896aa0ebbc9d3dc7f70cf2c.jpg)
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает снижение технологического брака и повышение эффективности производства приборов с заданными параметрами. Сущность изобретения: в способе изготовления приборов на основе арсенида галлия, включающем формирование контактов, фотол...
2318269![Способ изготовления полупроводниковых приборов Способ изготовления полупроводниковых приборов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/64da3b0bd4062eb835793968cc547831.jpg)
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает снижение технологического брака и повышение эффективности производства приборов с заданными параметрами. Сущность изобретения: в способе изготовления приборов на основе арсенида галлия, включающем формирование контактов, фотол...
2318270