ЛИНДСТРЕМ Л. Карстен В. (SE)

Изобретение относится к способу получения поверхностей, лишенных загрязнений, из материалов, выбранных из группы, содержащей GaAs, GaAlAs, InGaAs, InGaAsP и InGaAs на зеркальных фасетках кристалла для резонаторов лазеров на основе GaAs. Технический результат изобретения: обеспечение способа пассивации фасетки, который отличается простотой, экономичностью и в то же время дает высокий выход за счет...