PatentDB.ru — поиск по патентным документам

КВОН Оу-Дзунг (KR)

Изобретатель КВОН Оу-Дзунг (KR) является автором следующих патентов:

Анодный материал для вторичного литиевого элемента большой емкости

Анодный материал для вторичного литиевого элемента большой емкости

Изобретение относится к анодному материалу для литиевого аккумулятора. Техническим результатом изобретения является улучшение циклических характеристик и ресурса аккумуляторов. Согласно изобретению анодный материал содержит слой металлической или металлоидной сердцевины, способный к повторяющейся реакции легирования/делегирования литием; слой аморфного углерода, покрывающий поверхность слоя металл...

2304325