Сазанов Александр Петрович (RU)
Изобретатель Сазанов Александр Петрович (RU) является автором следующих патентов:
![Формирователь изображения Формирователь изображения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/fa630687b59569ef642c3b7634fe9d00.jpg)
Формирователь изображения
Изобретение относится к оптическому приборостроению и касается конструкции цифрового формирователя панорамного изображения состыкованием снимков его участков. Технический результат заключается в повышении точности взаимоположения участков сканируемого изображения. Формирователь изображения содержит сканирующий микроскоп, оснащенный цифровой фотокамерой, контроллер, блок формирования изображения, б...
2304807![Устройство для контроля процесса сухого травления структурообразующего слоя микросхемы Устройство для контроля процесса сухого травления структурообразующего слоя микросхемы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/421d8f852b6e2c66816c7f4175ad00e7.jpg)
Устройство для контроля процесса сухого травления структурообразующего слоя микросхемы
Изобретение относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при нанесении и исследовании тонкопленочных структур, в особенности в производстве и контроле полупроводниковых микросхем методом сухого травления. Сущность изобретения: устройство для контроля процесса сухого травления структурообразующего слоя микросхемы в вакуумной камере содержит источник светового излучения и систему...
2372690![Способ контроля интегральной микросхемы Способ контроля интегральной микросхемы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/14931458fd2ea9f23dcf74618cf0d94d.jpg)
Способ контроля интегральной микросхемы
Изобретение относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано для неразрушающего исследования топологии интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ контроля интегральной микросхемы (ИМС) предусматривает формирование ее физической модели в полупроводниковой структуре «кремний-на-изоляторе», тыльная поверхность которой выполнена прозрачной для инфракрасного излучения с последую...
2392687![Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе нитрида алюминия и способ его изготовления Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе нитрида алюминия и способ его изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ec8b4814227d6d82c1d31d88aa3c9cc0.jpg)
Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе нитрида алюминия и способ его изготовления
Изобретения относятся к микроэлектронике и могут быть использованы в технологии конструирования полупроводниковых датчиков (ППД) ультрафиолетового излучения (УФИ). ППД УФИ содержит подложку, на которой последовательно расположены монтажный слой, выполненный из TiN, и фоточувствительный слой AlN, и электродную систему, включающую платиновый полупрозрачный в С-области УФИ выпрямляющий электрод, сое...
2392693