Голубко Наталья Владимировна (RU)

Изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых технологий. Сущность изобретения: в тонкопленочном материале диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью в качестве материала диэлектрика используют твердые растворы на основе сложных оксидов - перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn2(Ti1-xMx)4O12, BaLn2(Ti1-xMx)3O10, BaLn2(Ti1-xMx)2O8 (Ва, Ln) (Ti1-...

Изобретение относится к области фотогальванических устройств, в частности тонкопленочных композитных материалов, пригодных для изготовления гибких высокоэффективных преобразователей солнечной энергии, и касается нанокристаллических слоев на основе диоксида титана с низкой температурой отжига для применения в сенсибилизированных красителем солнечных элементах и способов их получения. Указанные ма...