Хан Владимир Александрович (RU)

Изобретение относится к сельскому хозяйству. Древесину лиственницы сибирской очищают от коры, измельчают до частиц размером 3-10 мм и сушат на воздухе при 30-40°С до остаточной влажности не более 15%. Высушенное сырье повторно измельчают до размеров частиц 1-5 мм и загружают в экстрактор. Далее проводят четырехкратную экстракцию сырья 87-88% изопропиловым спиртом, при соотношении сырье: эк...

Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью, предназначенным для использования в частотно-избирательных устройствах. Сущность изобретения состоит в том, что в варикапе, содержащем корпус, размещенную в корпусе р+-n-n+-мезоструктуру, ограниченную двумя контактными площадками к р+- и n+-слоям, и два внешних вывода, места выхода р+-n-перехода и примыкающих к этому переход...

Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью. Предлагается три варианта сборки из двух варикапов с общим катодом. Во всех вариантах сборки боковые поверхности р+-n-n+-мезоструктур выполнены наклонными относительно их центральных осей, и их наклонные поверхностные полупроводниковые слои преобразованы в поверхностные диэлектрические слои. В первом варианте сборки две мезо...

Изобретение относится к области твердотельной СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании СВЧ-модулей, предназначенных для генерации, усиления и преобразования колебаний. Полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов содержит последовательно соединенные слои металла и полупроводника слой n1 из которых образует активную пролетную область для электронов, слои обра...

Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: в вертикальном полевом транзисторе, содержащем вывод истока, омический контакт к истоку, исток, вертикальные проводящие каналы, затвор, выполненный в виде металлической ленты, сток, первый и...

В полупроводниковом источнике излучения, содержащем корпус, оптически прозрачную крышку, расположенную параллельно днищу корпуса, прямоугольную диэлектрическую пластину, на которой с верхней стороны размещена прямоугольная матрица полупроводниковых излучающих диодов, а сама пластина размещена на днище корпуса, и жидкость, заполняющая внутреннюю свободную полость корпуса, в каждом ряду матрицы раз...

Изобретение может найти применение в различных устройствах и системах, в которых требуются мощные источники оптического излучения. В полупроводниковом источнике излучения согласно изобретению, содержащем цилиндрический корпус, соосно расположенный внутри корпуса рефлектор, расположенную внутри рефлектора диэлектрическую пластину, на которой размещена матрица излучающих диодов, оптически прозрачну...

Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к полупроводниковым источникам излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазонов длин волн. Оно может найти применение при создании современных светотехнических изделий и систем. Изобретение может быть использовано также в СВЧ микроэлектронике при создании монолитных усилителей мощности и в силовой электронике при создании...