Рычков Геннадий Сергеевич (RU)

Изобретение относится к способам формирования наномикросистем, содержащих углеродные нанотрубки. Способ формирования нано-(микро-) систем из углеродных нанотрубок, располагаемых по заданному рисунку, заключается в нанесении на подложку многослойного покрытия, содержащего каталитический слой. На каталитический слой наносят углеродный слой наноразмерной толщины, после чего выполнение по каталитическ...

Изобретение относится к устройствам формирования наноразмерных объектов. Техническим результатом изобретения является повышение мобильности системы и воспроизводимости процессов формирования с ее помощью наноэлементов. Сущность изобретения: в устройстве формирования наноразмерных объектов, содержащем рабочую камеру, установленные в ней предметный столик и измерительную головку сканирующего зондово...

Изобретение может быть использовано в конструкциях фотокатода в оптоэлектронных системах, в фотоумножителях, в детекторных модулях ионизирующих излучений, в системах распознавания изображений и т.д. Сущность изобретения: в гетероструктуре для фотокатода, содержащей слой из алмаза р-типа проводимости с наноразмерными топологическими неоднородностями на его поверхности, в качестве наноразмерных топо...

Изобретение относится к вакуумной эмиссионной технике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, СВЧ и микроволновой электроники, систем визуализации информации (экраны плоских дисплеев), осветительных систем. Конструкция усилителя-преобразователя в составе: автоэмиссионного катода на основе углеродных наноструктурированных материалов, например углер...

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений. В твердотельный детектор ионизирующих излучений, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне, с расположенным на ее лицевой стороне изотипным подложке полупроводниковым слоем, с расположенным на этом слое полупроводниковым высокоомным слоем, с расположенным на высокоомном слое слоем проти...

Изобретение относится к твердотельным детекторам нейтронов. В твердотельный интегральный однокристальный детектор нейтронов, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне и расположенные последовательно друг на друге на ее лицевой стороне следующие слои: изотипный подложке полупроводниковый слой, полупроводниковый высокоомный слой, полупроводниковый слой противо...

Изобретение относится к вакуумной электронике и может быть использовано в клистронах, мощных СВЧ лампах и устройствах защиты от мощных СВЧ импульсов. Усилитель электронного потока для электронно-оптического преобразователя содержит покрытую с обеих сторон металлической пленкой проводящую пластину с периодически расположенными сквозными отверстиями, причем указанная проводящая пластина содержит, п...

Изобретение относится к вакуумной эмиссионной электронике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, приборов ночного видения, СВЧ и микроволновой электроники. Усилитель-преобразователь состоит из эмиттера на основе углеродных наноструктурированных материалов, например углеродных нанотрубок, динодов на основе алмаза либо микроструктурированного алмаза...

Изобретение относится к способам формирования массивов из углеродных наноструктур (УНС) для автоэмиссионных применений. Технический результат - разработка эффективного способа, позволяющего формировать массивы УНС непосредственно из углеродосодержащих слоев и подложек. Способ формирования массивов из УНС заключается в нанесении на произвольную подложку либо приборную структуру многослойного покры...

Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, ра...

Изобретение относится к области электронной техники. В фотокатоде, выполненном из высокочистого полупроводника, область, регистрирующая оптическое излучение, выполнена в виде полупроводниковой мембраны с омическим контактом к несущей ее подложке и расположенной над отверстием в ней, на лицевой поверхности полупроводниковой мембраны расположен диэлектрический слой нанометровой толщины и приемн...

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки...

Использование конструкции согласно изобретению - это фотокатодные узлы вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-1,0 мкм. Предложен фотокатод из высокочистого полупроводника, при этом регистрирующий оптическое излучение слой полупроводника расположен на прозрачной для оптического излучения подложке,...

Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - расширение в длинноволновую область диапазона спектральной чувствительности к электромагнитному излучению, повышение токовой чувствительности и квантовой эффективности. Фотоэлектронный умножитель представляет собой гибридную сборку многоэлементного устройства в составе входного оптического окна, алмазного фотокатода,...

Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-0,45 мкм. Технический результат - расширение спектральной области чувствительности к электромагнитному излучению. Фотокатодный узел состоит из оптического окна для входного излучения и фотокатода, который вы...

Изобретение относится к структурам для автоэмиттеров. Изобретение обеспечивает значительное увеличение рабочих токов автокатода, повышение стойкости устройств к деградации и увеличение их рабочего ресурса. В гетеропереходной структуре на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы сформирован массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не...

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается электронно-оптического преобразователя. Преобразователь включает в себя корпус с вакуумно-плотными входным и выходным окнами, фотокатод на основе алмазной пленки, ускоряющие электроды, волоконно-оптическую пластину, люминесцентный экран и геттер. На входном окне расположен тонкий слой прозрачного в УФ области спектра соединен...

Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для использования в разработках и исследованиях конструктивно-технологических методов создания автоэмиссионных сред, в том числе и сред, процесс автоэмиссиии из которых активируется электромагнитным излучением оптического либо радиочастотного диапазонов. В частности, указанное устройство необходимо для разработки и исследовани...

Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник электронов, анод с винтовым окончанием, штенгель и электрические контакты. Вместо входного окна располагают ваку...