Иващенко Анна Ивановна (RU)

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения, включающий подложку n+-типа проводимости, эпитаксиально выращенный на ней активный слой n- или р-, или ni-типа проводимости, на поверхности которого сформированы полосковые сигнальные электроды р+-типа проводимости с омическими контактами, разделенными друг от друга канавками. Канавки вытравлены на глубину 20-50% от толщины активного...

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов или сверхвысокочастных интегральных схем на полевых транзисторах. Техническим результатом изобретения является упрощение получения подзатворных щелей в диэлектрике с размерами, меньшими 100 нм. Сущность изобретения: в способе изготовления полевого транзистора, включающем создание контактов стока и истока,...