Закгейм Дмитрий Александрович (RU)

Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlхInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости. В одной из этих областей сформирована активная область, имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая облас...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. В полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n-переходом, содержащей последовательность эпитаксиальных слоев, образующих область,...

Светодиодная гетероструктура, согласно изобретению выполненная на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0≤x≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом, содержит n-контактный слой, выполненный из нитридного материала GaN, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного материала InyGa1-yN, барьерный слой, выполненный из нитридного материа...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а более конкретно к полупроводниковым светодиодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIIIN). Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе нитридов металлов третьей группы, включает подложку, а также сформированные в процессе эпитаксиального роста последовательн...

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы. Светоизлучающий диод содержит эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа...

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к оптоэлектронике, а именно к электропроводящим оптически прозрачным покрытиям на основе оксида индия и олова. Способ получения покрытия на основе оксида индия и олова на поверхности подложки включает напыление на подложку оксида индия и олова с обеспечением требуемого значения показателя преломления покрытия за счет выбора технологиче...