Окс Ефим Михайлович (RU)

Изобретение относится к области плазменной техники и может быть применено при разработке электронно-лучевых устройств и использовано в электронно-лучевой технологии, экспериментальной физике, плазмохимической технологии. Сущность изобретения заключается в том, что в известном источнике, содержащем соосные полый катод, анод, ускоряющий электрод, диск из термостойкого неорганического диэлектрика, эм...

Изобретение относится к технике получения низкотемпературной плазмы и может быть использовано в источниках электронных и ионных пучков в качестве эмиттера. Технический результат - обеспечение простой и надежной конструкции плазменного эмиттера на основе дугового разряда с катодным пятном, работающего в диапазоне разрядных токов от единиц до десятков ампер, при сохранении длительного ресурса катод...

Изобретение направлено на предотвращение растрескивания керамических деталей за счет снижения механических напряжений в сварном шве. При этом обеспечивается минимальное термическое воздействие на удаленные от сварного шва участки. Размещают свариваемые детали в вакуумной камере. В вакуумной камере с размещенными свариваемыми деталями создают давление 5-20 Па. На области, прилегающие к стыку, напр...

Изобретение относится к технологии выращивания оксидных слоев и может быть использовано при создании защитных либо пассивирующих покрытий на поверхности металла или полупроводника. Сущность изобретения: в способе плазменного анодирования металлического или полупроводникового объекта проводят операции откачки рабочей камеры, напуска кислорода, создания плазмы пучком электронов, проходящим вблизи п...

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлокерамических узлов пайкой, например, керамической и титановой трубок. Подготавливают сборку керамической и титановой деталей с размещенным между ними алюминиевым припоем. Разогрев места стыка керамики с титаном производят при непрерывном вращении сборки сфокусированным электронным пучком в вакуумной камере при давлении 5-15 Па до расп...

Изобретение относится к области технологии материалов. Техническим результатом является обеспечение высокой скорости спекания и равномерной усадки спекаемой диэлектрической керамики. Способ спекания содержит операции компактирования порошка и облучения более одной стороны компакта электронными пучками, формирование электронных пучков с энергией 10-15 кэВ производят отдельными источниками, а об...

Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки. В ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана и сильные окислители, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстрак...

Изобретение относится к источникам получения направленного (сформированного) мягкого рентгеновского излучения, или, что то же самое, экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) с длиной волны 13,5 нм или 6,7 нм, применяемым в настоящее время или в ближайшей перспективе в проекционной литографии высокого разрешения. Технический результат - повышение эффективности и ресурса работы источников...

Изобретение относится к области плазменной техники и может быть использовано в полупроводниковой и других отраслях промышленности, где необходима модификация поверхностей материалов. Способ включает генерацию плазмы ионов бора в импульсном сильноточном магнетронном разряде, параметры которого достаточны для реализации режима самораспыления мишени из бора и составляют: ток 10-50 А, напряжение 1-2...

Изобретение относится к технологии керамических материалов и может быть использовано для получения трёхмерных объектов из керамических порошков. Изобретение направлено на сокращение времени, затрачиваемого на послойное электронно-лучевое спекание изделий из керамического порошка при обеспечении однородности нагрева каждого слоя керамического порошка. В способе спекания, содержащем операции нанесен...

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к магнетронным распылительным системам, и может быть использовано для нанесения покрытий методом магнетронного распыления металлической мишени в вакууме. Устройство содержит в корпусе-аноде (1) катодный узел, включающий в себя плоскую мишень-катод (2). В катодном узле за плоскостью мишени-катода (2), которая электрически соединена с электродо...

Изобретение относится к способу сварки стеклянных трубчатых деталей. Детали размещают в вакуумной камере, создают в ней давления 5÷20 Па и формируют сварной шов на стыке деталей сфокусированным электронным лучом от источника сфокусированного луча. Перед сваркой и во время сварки осуществляют прогрев областей труб, прилегающих к стыку двумя встречными расфокусированными электронными пучками при одн...