Кацоев Леонид Витальевич (RU)

Детектор ионизирующих излучений содержит арсенидгаллиевую подложку с контактом, граничащий с ней полуизолирующий арсенидгаллиевый слой и омический контакт. Кроме того, детектор содержит изолирующий слой Ga1-xAlxAs, имеющий общую границу с полуизолирующим арсенидгаллиевым слоем, нелегированный слой арсенида галлия, имеющий общую границу с изолирующим слоем Ga1-xAlxAs, легированный слой арсенида гал...

Детектор ионизирующих излучений содержит подложку с контактом, граничащий с подложкой полуизолирующий арсенидгаллиевый слой и барьерный контакт. Также детектор содержит изолирующий слой Ga1-xAlxAs, имеющий общую границу с полуизолирующим арсенидгаллиевым слоем, нелегированный слой арсенида галлия, имеющий общую границу с изолирующим слоем Ga1-хAlxAs, область p-типа проводимости, выполненную в неле...

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений. В твердотельный детектор ионизирующих излучений, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне, с расположенным на ее лицевой стороне изотипным подложке полупроводниковым слоем, с расположенным на этом слое полупроводниковым высокоомным слоем, с расположенным на высокоомном слое слоем проти...