Шмелев Сергей Сергеевич (RU)

Детектор ионизирующих излучений содержит арсенидгаллиевую подложку с контактом, граничащий с ней полуизолирующий арсенидгаллиевый слой и омический контакт. Кроме того, детектор содержит изолирующий слой Ga1-xAlxAs, имеющий общую границу с полуизолирующим арсенидгаллиевым слоем, нелегированный слой арсенида галлия, имеющий общую границу с изолирующим слоем Ga1-xAlxAs, легированный слой арсенида гал...

Детектор ионизирующих излучений содержит подложку с контактом, граничащий с подложкой полуизолирующий арсенидгаллиевый слой и барьерный контакт. Также детектор содержит изолирующий слой Ga1-xAlxAs, имеющий общую границу с полуизолирующим арсенидгаллиевым слоем, нелегированный слой арсенида галлия, имеющий общую границу с изолирующим слоем Ga1-хAlxAs, область p-типа проводимости, выполненную в неле...

Предметом изобретения является (ИМС) устройство выборки и хранения аналоговой информации (УВХ), работающее по принципу двухтактного стробирования и предназначенное для использования в системах точного измерения периодических электрических сигналов. Технический результат заключается в расширении динамического диапазона. Это достигается за счет введения простой цепи обратной связи и изменения способ...

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора с Т-образным управляющим электродом включает выделение на подложке арсенида галлия с нанесенным вспомогательным слоем диэлектрика активной области прибора, в пределах которой формируют устройство. На данную подложку наносят слой резиста, подходящего для наноимпринт лит...