Тимонина Анна Владимировна (RU)

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Сущность изобретения: получение нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te, температура источника испарения составляе...

Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона. Способ изготовления оптического фильтра рассеяния осуществляют прессованием порошка, при этом прессованию подвергается нанопорошок теллурида кадмия с размером зерна 10-15 нм при температуре от +18 до +25°С при давлении прессования 700-750 МПа. Технический результат заключается в создании...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью. Сущность изобретения состоит в том, что нанопорошок теллурида цинка-кадмия со средним размером частиц 10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 350-500 МПа при температурах от +20 до +25�...

Изобретение относится к нейтральным светофильтрам и может быть использовано в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения. Нейтральный светофильтр, состоящий из чередующихся слоев кристаллического моноселенида галлия GaSe и наночастиц галлия, обеспечивает однородное ослабление излучения с длинами волн 2,5-15 мкм. Коэффициент ослабления можно регулиро...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях. Сущность изобретения: в способе получения наностержней из селенида кадмия путем испарения расплава и осаждения паров на холодной подложке процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 минут. Способ позволяет получать наностержни CdSe диаметром 5-15...

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. Наночастицы Ga получают в кристаллической матрице моноселенида галлия путем плавления навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизации при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками. Периодичность остановок находится в диапазоне...

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03), обладающего люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм. Получение нанопорошка селе...

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления фильтров, способных применяться для очистки агрессивных жидкостей и газов от инородных включений при высоких температурах эксплуатации, в том числе диметилгидразина, используемого в качестве компонента жидкого ракетного топлива. Способ изготовления изделия с фильтром для агрессивных жидкостей и газов в...

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении, в атмосфере водорода при давлении 1300-2600 Па, при этом расплав галлия имел температуру Т(Ga...