Поварницына Зоя Мстиславовна (RU)

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС включает создание на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины (ПП) областей кармана, образование подзатворного диэлектрика, формирование электродов полевых затворов, формирование маски и легирование стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с низкой концентрацией прим...