Нисневич Яков Давыдович (RU)

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых диодов, динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности обратного тока ir и напряжения пробоя vbr высоковольтного p-n-перехода и возможность регулирования vbr. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе...