Мишина Елена Дмитриевна (RU)

Изобретение относится к области нанотехнологии для микроэлектроники. Способ заключается в том, что для каждого вида или типа повторяющегося элемента методом фокусированного ионного зонда изготавливают одну реплику в проводящем материале, на каждую реплику электрохимически наносят адгезивный слой, затем методом гальванопластики - слой металла толщиной 50-100 мкм для образования отдельной пресс-форм...

Изобретение относится к области нанотехнологии. Сущность изобретения: способ изготовления мембраны на каркасе для нанофильтров и нанореакторов заключается в том, что на поверхность подложки или сетки наносят методом ионно-атомного напыления металла микропористую металлизированную пленку из по крайней мере одного слоя напыленного металла с копированием в напыленном слое микропористой структуры подл...

Изобретение относится к области нанотехнологии для оптоэлектроники. Фотонный кристалл содержит подложку, на поверхность которой нанесен нелинейно-оптический пленочный материал, на котором закреплена дифракционная решетка из меди, при этом материал обеспечивает возможность излучения светового потока на частоте второй гармоники, а дифракционная решетка является одновременно системой электродов для п...

Изобретение относится к области мембранной технологии и нанотехнологии. Селективный нанофильтр содержит подложку, выполненную по всей поверхности с порами в виде сквозных отверстий, направленных вдоль толщины подложки, и активный слой, при этом толщина подложки больше толщины активного слоя. Подложка выполнена с размером пор 50-100 нм, а активный слой представляет собой тонкую толщиной 100-150 н...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в том, что ультракороткий лазерный импульс длительностью Δtл=20-100 фс направляется на исследуемый объект, в котором синхронизованно возбуждается повторяющийся исследуемый процесс (например, электрическим полем возбуждается свечение полупроводника в интегральной схеме или поляризация сегнетоэлектрика), длительность которого Δtис б...

Изобретение относится к области нанотехнологии. Устройство оптической антенны для оптических интегральных схем представляет собой металлическую планарную полосковую структуру, нанесенную на подложку из диэлектрического материала, центральным элементом которой является полосок, который связан с двумерным фотонным кристаллом или активной фотонно-кристаллической структурой. Полосок имеет ширину на...

Микроскоп включает платформу для размещения образца, выполненную с возможностью перемещения, источник лазерного излучения для направления излучения через оптико-механический прерыватель, используемый для модуляции и предварительного снижения средней мощности излучения, систему зеркал, и оптический вентиль, состоящий из полуволновой пластинки, установленной на автоматизированной вращающейся платфо...

Микроскоп содержит платформу для размещения образца, выполненную с возможностью перемещения по крайней мере в вертикальном и горизонтальном направлениях, источник лазерного излучения для направления излучения, падающего на исследуемый образец через полуволновую пластинку, установленную на автоматизированной вращающейся платформе, систему зеркал, фокусатор, приемную часть для автоматической настр...

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А при пониженной температуре роста, легированную атомами крем...