Шаваев Хасан Нахович (RU)

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, повышение подвижности носителей в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: полупроводниковые структуры после формирования эпитаксиальной пленки и изоли...