Ефимов Валерий Михайлович (RU)

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического и тестового оборудования. Изобретение направлено на обеспечение возможности фиксировать на одном и том же предметном столике образцы различного размера и конфигурации без ухудшения предельно допустимых усилий сдвига, при этом на несколько порядков уменьшаются прогибы образцов под ваку...

Изобретение относится к оборудованию для микроэлектронной области техники. Изобретение направлено на повышение процента соединенных контактов до 99,75 за счет значительного повышения точности установки плоскопараллельности двух плоских подложек, имеющих множество контактов в виде выступов, в том числе, с уменьшенной величиной высоты выступов контактов. Указанный технический результат достигается т...

Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использован при разработке конструкций инфракрасных фотоприемников, помещаемых в герметичный вакуумный корпус. Геттерный элемент состоит из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена не...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных детекторов инфракрасного излучения, стойких к многократным циклам охлаждения-нагревания. Сущность изобретения: гибридная структура для детектора инфракрасного излучения, состоит из слоя регистрации инфракрасного излучения, соединенного со слоем преобразовани...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных полупроводниковых микросхем, соединенных между собой множеством контактов для улучшения качества гибридизации полупроводниковых микросхем и повышения их долговечности в процессе многократного использования при различных температурах. Сущность изобретения: укрепляющий элемен...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке оборудования для изготовления гибридных полупроводниковых микросхем методом перевернутого кристалла (flip-chip). Сущность изобретения: наклоняюще-качающее приспособление для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла состоит из основания, имеющего прямоугольный выступ с первым о...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем. Сущность изобретения: индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы соединяют две части гибридной микросхемы, которая состоит из первой и второй частей гибридной микросхемы. На внутренних поверхностях первой и второй частей гибридной микросхемы нанесены...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы. Располагают фотоприемные модули каждой группы в ряд, формируя параллельные ряды. Фотоприемные модули меньшей площади со схемой считывания, выполненной из одного мат...

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического оборудования для изготовления гибридных микросхем большого формата, упрощения и удешевления такого оборудования. Заявленный соединительный пресс для матриц большого формата состоит из основания на котором помещена нижняя платформа для расположения на ней матриц большого формата, вер...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении фотоприемных устройств, выполненных в виде гибридных микросхем. Микроконтакт для фотоприемной гибридной микросхемы содержит две металлические контактные площадки и между ними контактный элемент с заданной площадью S0 поперечного сечения. Контактный элемент выполнен из множеств...