Сидоров Юрий Георгиевич (RU)

Фотодиодный приемник инфракрасного излучения содержит прозрачную для излучения спектральной области фотоприема полупроводниковую подложку, полупроводниковую варизонную структуру, размещенную на подложке. В составе варизонной структуры со стороны подложки последовательно друг на друге выполнены следующие слои. Слой, полученный сильным легированием, высокопроводящий одного типа проводимости с фиксир...

Фоточувствительная структура может быть использована при разработке фотоприемников ИК излучения. Фоточувствительная структура содержит подложку с выполненной на ней варизонной структурой с рабочей областью, в которой расположен рабочий поглощающий слой. В составе рабочей области кроме рабочего поглощающего слоя выполнен предотвращающий введение собственных дефектов слой с возможностью его примык...

Способ изготовления фоточувствительной структуры заключается в том, что подложку с рабочей областью заданного типа проводимости подвергают анодированию в электролите с формированием слоя анодированного материала рабочей области на ее поверхности, далее приступают к созданию в составе рабочей области областей другого типа проводимости относительно заданного, формируя фотодиоды. Согласно изобретен...

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительную к инфракрасному излучению структуру, содержащую подложку, верхний слой которой образован из CdTe, рабочий детекторный слой толщиной около 10 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где х=xд=0,2-0,3, изолирующий слой толщиной 0,1-0,2 мкм, изг...

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный...