Рыбачек Елена Николаевна (RU)

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного планарного МОП-транзистора на КНИ-подложке, включающем создание на поверхности пластины рабочих и изолир...

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке. Сущность изобретения: способ увеличения радиационной стойкости элементов КМОП-схем на КНИ подложке включает создание на КНИ подложке рабочих и изолирующих областей схемы, легирование рабочих областей кремния путем ионной имплантации бора, имплантацию ионами фтора...

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур на кремниевой подложке последовательно создают слой SiO2, слой кремния и затем опорный слой, на котором методами фотолитографии и ионно-плазменным травлением формируют рельеф с вертикальными стенками в местах буду...