Кастрюлев Александр Николаевич (RU)
Изобретатель Кастрюлев Александр Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса...
2313156
Бессвинцовый припой
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, в частности для пайки кремниевых кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов. Припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: олово 87,0-89,0; висмут 9,0-11,0; сурьма 0,8-1,2. Припой обладает хорошими технологическими свойствами, в частности, он имеет высокий коэффициент теплопроводности и хорошую смачивае...
2367551
Способ сборки полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов предусматривает пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена в...
2387045
Способ изготовления полупроводникового прибора
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают мето...
2531122
Периферия полупроводниковых приборов с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной...
2638584