PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кастрюлев Александр Николаевич (RU)

Изобретатель Кастрюлев Александр Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса...

2313156

Бессвинцовый припой

Бессвинцовый припой

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, в частности для пайки кремниевых кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов. Припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: олово 87,0-89,0; висмут 9,0-11,0; сурьма 0,8-1,2. Припой обладает хорошими технологическими свойствами, в частности, он имеет высокий коэффициент теплопроводности и хорошую смачивае...

2367551

Способ сборки полупроводниковых приборов

Способ сборки полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов предусматривает пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена в...

2387045

Способ изготовления полупроводникового прибора

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают мето...

2531122

Периферия полупроводниковых приборов с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению

Периферия полупроводниковых приборов с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной...

2638584