Шангереева Бийке Алиевна (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к процессам травления поверхности кремниевых пластин после операций: окисление, разгонка бора, разгонка фосфора. Сущность изобретения: в способе удаления кристаллитов с поверхности кремниевой пластины поверхность пластины предварительно окисляют в среде кислорода при температуре 850°С в течение 20 минут...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления. Сущность изобретения: в способе травления слоя фоторезиста, включающем плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин обработкой газовой смесью элегаза и кислорода, травление проводят пр...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций. Сущность изобретения: в способе удаления резистивной маски, включающем обработку поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций для удаления фоторезиста с поверхности, обработку проводят в две ст...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности кремниевых подложек от органических и механических загрязнений перед термическими операциями. Изобретение позволяет полностью удалить органические и механические загрязнения и примеси с поверхности кремниевой подложки и сократить время обработки подложек. Сущность изобретения: способ очист...

Изобретение относится к технологии получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния (Si3N4). Сущность изобретения: в способе получения пленок нитрида кремния из газовой смеси, в состав которой входят дихлорсилан (SiH2Cl2) и аммиак (NH3), подложки подвергают обработке в газовой смеси при температуре, равной 750°С, в течение 20 минут и при соо...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения тонкопленочных конденсаторов. Сущность изобретения: в способе получения пленок оксида циркония подложки подвергают обработке гомогенной газовой смесью при мольном соотношении тетрахлорида циркония к кислороду и оксиду азота, соответственно равном 1:1:(3,8-4,2), обработку подложек ведут с предв...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю на посадочную поверхность кристалла проводят последовательное напыление двух металлов титан-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при температуре 280-300°...

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора. Сущность изобретения: в способе снятия фоторезиста, включающем травление пленки фоторезиста с кремниевых пластин обработкой в травителе, состоящем из ацетона и диметилформамида, травление пленки фоторезиста прово...

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности кремниевых пластин пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнен...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок. Сущность изобретения: способ получения защитных пленок на основе окиси гафния включает формирование на поверхности подложки защитного слоя окиси гафния при температуре 350-400°С из газовой фазы, состоящей из тетрахлорида гафния (HfCl4), кислорода (О2) и окиси азота (NO), при...

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора (ТПДФ). Процесс проводят при температуре 1000°С на...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида проводят в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, при...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния. Изобретение позволяет получить ровный рельеф профиля при плазмохимическом травлении пленок нитрида кремния с достаточно высокой скоростью и воспроизводимостью процесса. В способе плазмохимическог...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса последовательно напыляют в едином технологическом цикле на посадочную поверхность кремниевого кристалла три металла: хром-никель-серебро (Cr-Ni-Ag), а пайку кристаллов к основанию корпу...

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области. Сущность изобретения: в способе диффузии бора, включающем процесс образования боросиликатного стекла из газовой фазы, в качестве источника диффузанта используют твердый планарный источник при следующем соотношении компонентов газовой фазы: азот N2=240 л/ч, кислород...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ травления пленки алюминия включает травление пленки алюминия с поверхности кремниевых пластин путем обработки кремниевых пластин в травителе, состоящем из азотной, фосфорной и уксусной кислот при соотношении компонентов, соответственно равном 1:50:12, при температуре 40±5°С, в течение 15±5 ми...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Сущность изобретения: в способе обработки кварцевой оснастки, включающем обработку кварцевой трубы после высокотемпературных операций в растворе, состоящем из фтористоводоро...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии. Изобретение обеспечивает полное удаление влаги с поверхности кремниевых подложек перед нанесением фоторезиста при комнатной температуре. Сущность изобретения: при подготовке поверхности полупроводниковых подложек их обраб...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к полной активации доноров и акцепторов при условии полного устранения остаточных дефектов. Проводят лазерный отжиг кремниевой подложки, содержащей имплантированные примесями аморфные слои толщиной 100 нм в среде водородной плазмы при температуре подогрева кремниевой подложки 600 К, или 640 К, или 645 К, или...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций. Сущность изобретения: способ предусматривает обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев. Обработку проводят в две стадии, причем на первой...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. Сущность изобретения: в способе защиты поверхности кристаллов р-n-пер...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии. Техническим результатом изобретения является получение равномерного распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений. С...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора. Сущность изобретения: в способе диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок, включающем процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины из газовой фазы, в качестве источника диффузанта используют жидкий источник оксихлорид...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, для маскирования поверхности кремниевых пластин при проведении диффузионных процессов. Сущность изобретения: пленку окисла кремния получают с использованием газовой фазы, в состав которой входят азот, кислород и водород при соотношении компонентов: N2=400 л/ч, H2=75...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающем последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, напыляют на посадочную поверх...