Сушков Валерий Петрович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов и приборов методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, а именно к изготовлению гетероструктур на основе элементов III группы и приборов на их основе, таких как белые светодиоды, лазеры и т.д. Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур для белых светоизлучающих диодов на основе соединени...

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в электронной промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых при создании устройств отображения информации (дисплеев, информационных табло и т.п.). Тонкопленочное светодиодное полупроводниковое устройство, предназначенное для сборки методом поверхн...

Изобретение может быть использовано в системах освещения. Светодиодный источник излучения содержит несколько полупроводниковых излучателей света оптического диапазона, объединенных электрической цепью, по меньшей мере, в один базовый элемент, держатель базового элемента с присоединительными выводами, покровную линзу и радиатор для отвода тепла от базового элемента. Согласно изобретению параметры...

Изобретение относится к средствам светоизлучения и может быть использовано в системах освещения. Техническим результатом является расширение эксплутационных возможностей. Светодиодный источник излучения содержит корпус с установленными в нем, по меньшей мере, четырьмя полупроводниковыми излучателями света оптического диапазона, объединенными электрической цепью, в, по меньшей мере, один базовый э...