Щербаков Николай Валентинович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов и приборов методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, а именно к изготовлению гетероструктур на основе элементов III группы и приборов на их основе, таких как белые светодиоды, лазеры и т.д. Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур для белых светоизлучающих диодов на основе соединени...

Изобретение относится к светоизлучающим комбинированным устройствам, содержащим оптически активные композиции на основе Лангасита в сочетании со светодиодами, излучающими в коротковолновой области спектра. Описывается новая компоновка полупроводниковых устройств в сочетании с оптически активными композициями. В частности, светоизлучающие полупроводники, выполненные на основе InGaN структуры, в со...

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является улучшение оптических характеристик и повышение эффективности освещения за счет создания оптимальной системы теплоотвода, а также повышения уровня защиты от влияния негативных факторов окружающей среды. Светодиодная лампа содержит светодиодный модуль, выполненный либо в виде СОВ (chip-on-board) модуля, содержащего герм...

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является возможность формирования различных диаграмм излучения, улучшение оптических характеристик в широком спектральном диапазоне, повышение эффективности теплоотвода, увеличение уровня защиты конструкции от влияния негативных факторов окружающей среды. Светодиодная лампа содержит светодиодный модуль, механически соединенный...