Зайцев Б.А.

 1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3. 2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полуп...

 Изобретение относится к составам для получения теплостойких и прочных отвержденных полиэфирных смол, которые могут быть использованы в качестве связующего для заливочных и пропиточных компаундов, герметиков, лаков, покрытий. Изобретение позволяет повысить теплостойкость отвержденных продуктов до 400oС, предельная рабочая температура для длительной эксплуатации составляет 220-300oС против...

 Изобретение относится к химии и технологии полимеров и позволяет получать сетчатые термостойкие сополимеры с высокой прочностью и пониженной хрупкостью при малом времени и низкой температуре отверждения. Мономерно-олигомерную композицию для получения сетчатого термостойкого сополимера, содержащую 1 - 16 мас.% мономера 1 формулы п-(CH2=CH-C6H4)2O, 2,27 мас.% мономера 2 формулы 5 - 27 мас....

 Использование: техника обработки радиоактивных отходов. Сущность изобретения: способ включает предварительную очистку от радионуклидов катионита пропусканием через него раствора кислой натриевой сильной минеральной кислоты при суммарной концентраци ионов натрия и водорода 10 - 100 г/л и очисткой полученного раствора от радионуклидов на ферроцианидном сорбенте и последующую обработку катио...

 Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для испо...

 Использование: для защиты p-n-переходов приборов, работающих в условиях отвода тепла при больших токах. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности компаунда достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен гексагональный нитрид бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; гексагональный нитрид бора 25; толуол 5. 1 табл. Изобретение отно...

 Использование: в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий при работе в режиме больших токов. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем введения в состав композиции сфалеритного нитрида бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; сфалеритный нитрид бора 25. 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и п...

  Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: в качестве защитного покрытия кристалла используют компаунд, состоящий из роливсана и ароматических растворителей. Отверждение компаунда осуществляют при 120 - 250°С в течение 5 - 7 ч. 1 з.п.ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к защите поверхности кри...

 Использование: изобретение относится к области создания электропроводящих композиционных материалов, которые могут быть использованы при изготовлении гибких электронагревательных элементов, широко применяемых для обогрева бытовых и производственных помещений. Задачей изобретения является создание прочного и долговечного электропроводящего композиционного материала, обеспечивающего саморег...

 Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов, в частности в процессах легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Сущность: способ включает в себя ионное легирование, отжиг и диффузионную разгонку примеси при температуре 600 - 1350oC и последующую закалку. Закалку проводят посредством импульсного отжига...

 Использование: в полупроводниковой технике и для регистрации и измерения потока ИК излучения. Сущность изобретения: в способе регистрации и измерения потока ИК-излучения фоторезистором на основе кремния, легированного селеном, включающем приложение к его контактам постоянного напряжения, освещение фоторезистора и регистрацию сигнала с резистора нагрузки, прикладывают напряжение U(В) в диа...