Шкурко Алексей Петрович (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания нитридных полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении различных оптических и электронных приборов и устройств. В способе выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры, содержащей подложку с темплетным слоем и вышележащими полупроводниковыми слоями, вклю...

Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов. Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора, включающая монокристаллическую подложку из AlN, темплетный слой AlN, канальный слой GaN и барьерный слой AlxGa1-xN, между темплетным и канальным слоями расположены один над другим, соответственно, переходный слой AlyGa1-yN, буферный слой...

Изобретение относится к тиглям для испарения алюминия в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Тигель включает корпус из нитрида бора в виде колбы с фланцем в верхней части и покрытие, содержащее пиролитический графит. Фланец выполнен в виде конического раструба. Покрытие нанесено на наружную поверхность конического раструба и выполнено однослойным из пиролитического графита с толщиной слоя 20...

Изобретение относится к технике, используемой для нагревания полупроводниковой подложки при выращивании тонких эпитаксильных пленок методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сущность изобретения: в электрическом контакте нагревателя полупроводниковой подложки ростового манипулятора вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур, содержащем контактный винт с гайкой, при этом нагре...

Изобретение относится к технологии получения объемных монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, в оптоэлектронике при изготовлении подложек для различных оптоэлектронных устройств, в том числе светодиодов, излучающих свет в ультрафиолетовом диапазоне. В способе выращивания монокристалла AlN путем газофазной эпитаксии из смеси, содержащей источник Al и NH3, включающем размещение в...