Соколов Игорь Альбертович (RU)

Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов. Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора, включающая монокристаллическую подложку из AlN, темплетный слой AlN, канальный слой GaN и барьерный слой AlxGa1-xN, между темплетным и канальным слоями расположены один над другим, соответственно, переходный слой AlyGa1-yN, буферный слой...