Каменев Антон Александрович (RU)
Изобретатель Каменев Антон Александрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения пленочных покрытий посредством лазерной абляции
Изобретение относится к способу получения пленочных покрытий и может найти применение при изготовлении мелкозернистых порошков и других изделий с покрытиями. Покрытия получают лазерной абляцией поверхности мишени с образованием струи частиц, направленной на подложку. Мишень располагают со смещением от фокуса лазерного излучения не менее чем по двум осям координат, одна из которых совпадает с напра...
2316612
Способ уменьшения размера пор в поверхностном слое пористого тела и кислородпроводящая мембрана, изготовленная этим способом (варианты)
Изобретение относится к области получения материалов с заданной пористостью, которые могут быть использованы в производстве мембран. В способе уменьшения размера пор в поверхностном слое пористого тела, состоящего из неорганического оксида, поверхность пористого тела сканируют лазерным излучением при плотности мощности лазерного излучения от 25 до 200 кВт/см2 со скоростью сканирования от 10 до 500...
2329861
Способ изготовления подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников и подложка
Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов, в частности к изготовлению подложек для этих материалов. Сущность изобретения: способ изготовления биаксиально текстурированной подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников предусматривает проведение следующих стадий: А) получение заготовки, изготовленной из тройного...
2481674