Алексеев Алексей Валентинович (RU)
Изобретатель Алексеев Алексей Валентинович (RU) является автором следующих патентов:
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках
Предложенное изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области измерений электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения высокой частоты, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых пластинах и слитках. Целью изобретения является повышение точности и наде...
2318218Симулятор солнечного излучения для измерения параметров солнечных элементов
Предложенное изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света. Целью изобретения является повышение точности и надежности измерения вольтамперных характеристик солнечных элементов. Предложенный симу...
2318219Линейный концентратор светового излучения
Изобретение относится к области солнечной энергетики, более конкретно - к области создания солнечных фотоэлектрических модулей с концентраторами солнечного излучения, и может быть применено в наземных солнечных энергоустановках, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Линейный концентратор светового излучения представляет собой протяженные фрагмент...
2353865Концентраторный фотоэлектрический модуль
Изобретение может быть применено в наземных солнечных энергоустановках на основе линейных концентраторов солнечного излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Предложенный концентраторный фотоэлектрический модуль представляет собой герметизируемый объем, содержащий линейные линзы Френеля, цепочку фотоприемников и полые трубки, соединяющие г...
2377696Конструкция фотоэлектрического модуля
Настоящее изобретение может быть применено в наземных и космических солнечных энергоустановках на основе кремниевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечного излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения. Конструкция фотоэлектрического модуля включает нижнее защитное покрытие, на котором с помощью скрепляющей полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы...
2410796Фотоэлектрический гибкий модуль
Изобретение относится к области солнечной энергетики. Фотоэлектрический гибкий модуль содержит прозрачные для солнечного света верхнюю и нижнюю несущие пленки, расположенные между несущими пленками электрически соединенные между собой солнечные элементы, скрепленные с несущими пленками прозрачными для солнечного света верхней и нижней скрепляющими пленками, при этом в верхнюю и нижнюю скрепляющие...
2416056Устройство для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов
Изобретение относится к области измерительной техники. Устройство для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводникового материла, состоящее из генератора сигналов, к выходу которого присоединена первая катушка, регистратора индуцированного сигнала, ко входу которого присоединена вторая катушка. При этом первая и вторая катушки размещены соосно, а перед катушками размещен объект...
2420749Способ определения вольтамперных характеристик солнечных элементов на симуляторе солнечного излучения
Изобретение области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать (симулировать) реальное солнечное излучение искусственными источниками света вместе с необходимой и встроенной в устройство электронной аппаратурой для обеспечения процесса измерений и определения параметров солнечных элементов с целью оценки их эксплуатационных х...
2476958Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает увеличение производительности метода измерения времени жизни нео...
2484551Способ контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает повышение точности и увеличение производительности метода измер...
2486629Способ выявления структурных дефектов в кремнии
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины. Способ включает облучение объекта в n-точках непрерывным зондирующим ИК-излучением L1 с длиной волны λ1≤5,0 мкм, регистрацию инт...
2486630Гибкий фотоэлектрический модуль
Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые, помимо основной функции - генерации фототоэлектричества, могут использоваться в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении - кручению или изгибу. Гибкий фотоэлектрический модуль представляет собой...
2493633Гибкий фотоэлектрический модуль
Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые могут быть использованы в качестве источников электричества в системах энергообеспечения различных объектов - автомобилей, катеров, яхт, пунктов метеонаблюдения, телекоммуникационных систем, информационных стендов. Гибкий фотоэлектрический модуль включает последовательно расположенные ни...
2495513Способ контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность изме...
2515415