Короткевич Аркадий Владимирович (RU)

Предложенное изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области измерений электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения высокой частоты, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых пластинах и слитках. Целью изобретения является повышение точности и наде...

Предложенное изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света. Целью изобретения является повышение точности и надежности измерения вольтамперных характеристик солнечных элементов. Предложенный симу...

Изобретение области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать (симулировать) реальное солнечное излучение искусственными источниками света вместе с необходимой и встроенной в устройство электронной аппаратурой для обеспечения процесса измерений и определения параметров солнечных элементов с целью оценки их эксплуатационных х...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность изме...