Яремчук Александр Федотович (RU)

Предложенное изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света. Целью изобретения является повышение точности и надежности измерения вольтамперных характеристик солнечных элементов. Предложенный симу...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, более конкретно - к области создания солнечных фотоэлектрических модулей с концентраторами солнечного излучения, и может быть применено в наземных солнечных энергоустановках, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Линейный концентратор светового излучения представляет собой протяженные фрагмент...

Изобретение относится к области наноэлектроники. Сущность изобретения: в туннельном полевом нанотранзисторе с изолированным затвором, реализующем эффективное управление туннельным электрическим током, протекающим между двумя металлическими или сильнолегированными полупроводниковыми электродами, разделенными туннельно-прозрачной для электронов диэлектрической прослойкой при приложении между после...

Изобретение относится к области солнечной энергетики и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в данном солнечном элементе, сформированном на высоколегированной подложке, эмиттер является основной поглощающей и генерирующей носители областью, причем эпитаксиальный эмиттер состоит из двух областей, каждая из которых имеет переменный по...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов кремния способом Чохральского или мультикристаллов кремния методом направленной кристаллизации, которые в дальнейшем служат материалом для производства солнечных элементов и батарей (модулей) с улучшенными эксплуатационными характеристиками. Способ включает приготовление исходной шихты, легированной бором, и ее плавление, при этом в полу...

Изобретение области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать (симулировать) реальное солнечное излучение искусственными источниками света вместе с необходимой и встроенной в устройство электронной аппаратурой для обеспечения процесса измерений и определения параметров солнечных элементов с целью оценки их эксплуатационных х...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность изме...