Болтаев Анатолий Петрович (RU)

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является получение многослойной МР наноструктуры из магнитных наноостровов, имею...

В фотопреобразователе с двухсторонней рабочей поверхностью, содержащем диодные структуры, каждая с n+-р (р+-n) переходом на лицевой поверхности кремниевой пластины и изотипным р-р+ (n-n+) переходом в базовой области на тыльной поверхности кремниевой пластины, толщина фотопреобразователя соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, диодные структуры с n+-р (р+-n) п...

Изобретение относится к области защиты от подделки объекта защиты, в частности ценных бумаг, банкнот, документов. Техническим результатом является повышение надежности защиты и упрощение проверки защитных свойств. Защитный элемент для проверки подлинности объекта защиты включает в себя подложку и металлизированный слой, где упомянутый металлизированный слой представляет собой однослойный или мног...