Алиев Шамиль Джамалутдинович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций. Сущность изобретения: в способе удаления резистивной маски, включающем обработку поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций для удаления фоторезиста с поверхности, обработку проводят в две ст...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности кремниевых подложек от органических и механических загрязнений перед термическими операциями. Изобретение позволяет полностью удалить органические и механические загрязнения и примеси с поверхности кремниевой подложки и сократить время обработки подложек. Сущность изобретения: способ очист...